半導體泵浦激光原理實驗裝置_WGL-2

簡要描述：WGL-2適用于大學近代物理教學中非線性光學實驗，本實驗以808nm半導體泵浦Nd:YVO4激光器為研究對象，讓學生自己動手，調整激光器光路，產(chǎn)生1064nm激光。在腔中插入KPT晶體產(chǎn)生532nm倍頻光，觀察倍頻現(xiàn)象，測量倍頻效率，相位匹配角等基本參數(shù)。從而對激光原理及激光技術有一定了解。

產(chǎn)品型號：WGL-2
廠商性質：生產(chǎn)廠家
更新時間：2024-10-08
訪問量：1263

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詳情介紹

儀器簡介

　　WGL-2適用于大學近代物理教學中非線性光學實驗，本實驗以808nm半導體泵浦Nd:YVO4激光器為研究對象，讓學生自己動手，調整激光器光路，產(chǎn)生1064nm激光。在腔中插入KPT警惕產(chǎn)生532nm倍頻光，觀察倍頻現(xiàn)象，測量倍頻效率，相位匹配角等基本參數(shù)。從而對激光原理及激光技術有一定了解。
　

成套性

光學導軌，二維調節(jié)架，四維調節(jié)架
泵浦光源 808nm半導體激光器
指示光源 632.8nm氦氖激光器
激光晶體 Nd:YVO4
倍頻晶體 KTP
輸出鏡
光功率測試儀
紅外顯示卡
濾光片

技術參數(shù)

1．半導體激光器可調電源電流0～500mA

2．808nm半導體激光器 ≤500mW

連續(xù)輸出功率P 0.5 W

中心波長 λ 808±10 nm

偏振 TE

工作溫度 To 10～40℃

3．Nd：YVO₄ 晶體 3×3×1mm³

摻Nd濃度 0.1～3.0atm%

標準尺寸 3×3×1mm³

平面度＜λ/10 @632.8nm

鍍膜 AR@1064nm，R＜0.1%，HT@808 nm，T＞90%

4．KTP倍頻晶體 2×2×5mm³

透過波段： 0.35～4.5μm

電光系數(shù)： γ 33=36Pm/V

5．輸出鏡（前腔片） φ6 R=50mm

6．光功率指示儀 2μW～200mW 6擋

7．He-Ne激光器準直光源 632.8nm ≤1mW

8．紅外顯示卡可觀察0.7~1.6um的近紅外光

9．光學導軌 1000mm

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